FQPF2N60C 2N60C 2N60 600V 2A MOSFET transistor de canal N TO-220F

Características
• 2 A, 600 V, RDS(on) = 4,7 ? (máx.) a VGS = 10 V,
ID = 1 A
• Carga de compuerta baja (típica: 8,5 nC)
• Carga de compuerta baja (típica: 4,3 pF)
• 100 % probado contra avalanchas
Este MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N se produce
utilizando la tecnología DMOS y de franja
planar patentada de Fairchild Semiconductor. Esta tecnología MOSFET
avanzada ha sido especialmente diseñada para reducir la resistencia en estado
encendido y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior
y una alta resistencia a la energía de avalancha. Estos dispositivos son
adecuados para fuentes de alimentación de modo conmutado, corrección del factor de potencia
activa (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.