Descripción
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa y muy bajas tensiones umbral.
El 1N5819 es un rectificador Schottky de potencia de baja caída con terminaciones axiales en un encapsulado DO-41. Estos diodos presentan pérdidas de conducción muy bajas, pérdidas por conmutación inapreciables, conmutación extremadamente rápida y baja caída de tensión directa. Sus aplicaciones típicas incluyen fuentes de alimentación conmutadas, convertidores de DC a DC de alta frecuencia, inversores de alta frecuencia, circulación libre, protección contra polaridad y pequeños cargadores de baterías.
- Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
Datos Técnicos
- Tipo de diodo: Schottky
- Configuración: Sencilla
- Voltaje inverso repetitivo Vrrm: 40 V
- Voltaje directo Vf: 550 V
- Corriente directa If : 1 A
- Corriente directa transitoria Ifsm : 25 A
- Corriente inversa Ir: 500 uA
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: DO-41
- Número de pines: 2
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