Descripción
Transistor 2SB1559 PNP de potencia darlington diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de poder.
- Alto voltaje de ruptura
- Aplicaciones: Amplificación de poder
Datos Técnicos
- Polaridad: PNP
- Voltaje colector base VCBO: - 160 V
- Voltaje colector emisor VCEO: -150 V
- Voltaje emisor base VEBO: -5 V
- Corriente colector Ic: -8 A
- Disipación de potencia (Tc=25°C): 80 W
- Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
- Temperatura de funcionamiento máxima: 150 °C
- Encapsulado TO-3P
- 3 pines
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