Descripción
El transistor PNP es otro tipo de transistor de unión bipolar (BJT). La estructura del transistor PNP es completamente diferente del transistor NPN. Los dos diodos de unión PN en la estructura del transistor PNP están invertidos con respecto al transistor NPN, tal como los dos materiales semiconductores dopados de tipo P están separados por una capa delgada de material semiconductor dopado de tipo N. En el transistor PNP, la mayoría de los portadores de corriente son agujeros y los electrones son los portadores de corriente minoritarios. Todas las polaridades de voltaje de suministro aplicadas al transistor PNP se invierten. En el transistor PNP, la corriente se hunde en el terminal base. La pequeña corriente de base en el transistor PNP tiene la capacidad de controlar la gran corriente emisor-colector porque es un dispositivo controlado por corriente.
Datos Técnicos
- Voltaje Colector-Emisor VCE: -50 Vdc
- Voltaje Colector-Base VCB: -60 Vdc
- Voltaje Emisor-Base VEB: -5 Vdc
- Corriente Colector Continua IC:-100mA
- Potencia: 205 mW
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