Conductividad En Reversa Y Diodo Paralelo 1200V 20A., es un transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
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