Descripción
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.
Los MOSFET se han utilizado para los circuitos de accionamiento de la pantalla de plasma paneles (PDP). Sin embargo, los IGBT se utilizan comúnmente en grandes aplicaciones de corriente debido a su capacidad superior de conducción de corriente.
Datos Técnicos
- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de colector a emisor VCES: 600 V
- Corriente continua de colector IC: 200 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 26W
- Número de pines: 3
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