Descripción
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
- El diodo corporal ultrarrápido elimina la necesidad de diodos externos en aplicaciones ZVS
- Una carga más baja de la puerta da como resultado requisitos de manejo más simples
- Las capacidades dV / dt mejoradas ofrecen una mayor robustez
- Un umbral de voltaje de puerta más alto ofrece una mejor inmunidad al ruido
- Disponible sin plomo (Pb)
- Aplicaciones: SMPS de conmutación de voltaje cero, fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones, fuentes de alimentación ininterrumpida, aplicaciones de control de motores
Información Básica
- Polaridad de transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 16 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 60 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 310 W
- Resistencia de activación RDS(on): 0.385 Ω
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: TO-220AB
- Número de pines: 3
Sustituto
No Aplica
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